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jdb电子官网官方网站:国家信息光电子创新中心取得突破性成果

时间:2021/7/25 11:49:29   作者:   来源:   阅读:0   评论:0
内容摘要:随着光谷科技创新走廊的规划,将有3000亿条大道连接关山大道、光谷五路和左陵大道。提高重点领域自主创新能力重大科技基础设施建设取得重大进展,国家信息光电子创新中心取得突破性成果总书记强调,要做好中部地区崛起工作,必须提高重点领域自主创新能力。“意见的中国共产党中央委员会和国务院关于促进中部地区的高质量发展新时期“”命名...

随着光谷科技创新走廊的规划,将有3000亿条大道连接关山大道、光谷五路和左陵大道。

提高重点领域自主创新能力

重大科技基础设施建设取得重大进展,国家信息光电子创新中心取得突破性成果

总书记强调,要做好中部地区崛起工作,必须提高重点领域自主创新能力。

“意见的中国共产党中央委员会和国务院关于促进中部地区的高质量发展新时期“”命名为“武汉,要求武汉等城市应选择一批重大科技基础设施的部署,加快建设武汉信息光电子等国家制造业创新中心,新培育一批产业创新中心和制造业创新中心。

湖北省委的意见”实现中国共产党和湖北省人民政府关于促进新时期湖北的高质量发展,加快建设中部地区崛起的重要战略支点”需要科学的使用丰富教育资源优势,强化科技创新源头,建设具有国家影响力的科技创新中心。

7月24日,国家脉冲高磁场科学中心的师生们在各自的岗位上忙碌着。中心办公室主任程远介绍,该装置多项核心技术指标达到国际一流水平,其中脉冲磁场强度水平位居世界第三,亚洲第一。

今年以来,武汉重大科技基础设施建设取得重要进展。

据了解,目前脉冲强磁场实验装置的优化升级、作物表型研究(神农)设施、深部岩土工程扰动模拟设施等项目取得了重要进展。高端生物医学影像设备已获省发改委批准,加快建设。未来,武汉市将继续支持农业微生物的预研究和预制、碳捕集、利用和储存设施。

在国家信息光电子创新中心,该中心和中国新科集团光纤通信技术与网络国家重点实验室首次使用硅光学微环调制器产生200Gb/s的光信号,一举打破了外国公司创下的128Gb/s的记录。这一成果将为我国自主研发下一代硅光学芯片提供技术支持。



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